Sti:OKDatasheet > Semiconductor blad > IR Datasheet > IRF1010E
IRF1010E spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
Sti:OKDatasheet > Semiconductor blad > IR Datasheet > IRF1010E
IRF1010E spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.
Fabrikant : IR
Packing :
Pins : 3
Temperature : Min -55 °C | Max 175 °C
Størrelse : 214 KB
Anvendelse : HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 12 mOhm, ID = 84A.